Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs: N layers

Gallardo Velasco, Eva María; Lazic, Snezana; Calleja Pardo, José Manuel; Miguel-Sanchez, J.; Montes Bajo, Miguel; Hierro Cano, Adrián; Gargallo Caballero, Raquel; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Muñoz Merino, Elias; Teweldeberhan, A.M. y Fahy, S. (2008). Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs: N layers. "Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics", v. 5 (n. 6); pp. 2345-2348. ISSN 0370-1972. https://doi.org/10.1002/pssc.200778487.

Descripción

Título: Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs: N layers
Autor/es:
  • Gallardo Velasco, Eva María
  • Lazic, Snezana
  • Calleja Pardo, José Manuel
  • Miguel-Sanchez, J.
  • Montes Bajo, Miguel
  • Hierro Cano, Adrián
  • Gargallo Caballero, Raquel
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Muñoz Merino, Elias
  • Teweldeberhan, A.M.
  • Fahy, S.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
Fecha: Mayo 2008
Volumen: 5
Materias:
Palabras Clave Informales: Local vibration, nitrogen, AlGaAs, LVMs spectra
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Raman scattering measurements in dilute AlGaAs:N films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (100) GaAs substrates reveal strong local vibration modes (LVM) associated to N complexes. The LVM observed frequencies between 325 and 540 cm–1 are in good agreement with density functional theory supercell calculations of AlnGa4–nN complexes (n = 1,2,3,4). We find that the observed LVMs correspond to all n values including Al4N. The LVMs spectra are resonant at energies around 1.85 eV. The values of the extended phonon frequencies of the ternary compound (GaAs and AlAs-like) reveal changes in the N distribution depending on the growth conditions: A transition from random- to nonrandom nitrogen distribution is observed upon increasing the growth temperature. Our results confirm the preferential bonding of N to Al in AlGaAs:N, due to the higher Al-N bond strength as compared to the Ga-N bond.

Más información

ID de Registro: 2602
Identificador DC: http://oa.upm.es/2602/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2602
Identificador DOI: 10.1002/pssc.200778487
URL Oficial: http://www3.interscience.wiley.com/journal/119139597/issue
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 14 Abr 2010 10:11
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:15
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