The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures

Gargallo Caballero, Raquel; Miguel-Sanchez, J.; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Hierro Cano, Adrián y Muñoz Merino, Elias (2008). The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures. "Journal of Physics D - Applied Physics", v. 41 (n. 6); pp.. ISSN 0022-3727. https://doi.org/10.1088/0022-3727/41/6/065413.

Descripción

Título: The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures
Autor/es:
  • Gargallo Caballero, Raquel
  • Miguel-Sanchez, J.
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Physics D - Applied Physics
Fecha: Marzo 2008
Volumen: 41
Materias:
Palabras Clave Informales: Condensed matter: electrical, magnetic and optical Semiconductors surfaces, interfaces and thin films condensed matter: structural, mechanical and thermal nanoscale science and low-D systems
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The effect of post-growth rapid thermal annealing on the optical characteristics of InAsN/InGaAs dot-in-a-well DWELL structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs(1 0 0) has been studied. InAs/InGaAs DWELL structures have been used as a reference. Photoluminescence measurements of these samples show similar optical effects, such as a blueshift of the peak wavelength and a reduction of the full width of at half maximum PL emission, in both types of structures up to an annealing temperature of 750 °C. Nevertheless, at 850 °C, these effects are much more pronounced in the structures with N. These results suggest that an additional As–N interdiffusion process inside the InAsN quantum dots plays a dominant role in these effects at high annealing temperatures (850 °C) on InAsN/InGaAs structures.

Más información

ID de Registro: 2603
Identificador DC: http://oa.upm.es/2603/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2603
Identificador DOI: 10.1088/0022-3727/41/6/065413
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/0022-3727/41/6
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 22 Mar 2010 13:28
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:15
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