Aluminum nitride for heatspreading in RF IC’s

La Spina, L.; Iborra Grau, Enrique; Schellevis, H.; Clement Lorenzo, Marta; Olivares Roza, Jimena y Nanver, L.K. (2008). Aluminum nitride for heatspreading in RF IC’s. "Solid State Electronics", v. 52 (n. 9); pp. 1359-1363. ISSN 0038-1101. https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.04.009.

Descripción

Título: Aluminum nitride for heatspreading in RF IC’s
Autor/es:
  • La Spina, L.
  • Iborra Grau, Enrique
  • Schellevis, H.
  • Clement Lorenzo, Marta
  • Olivares Roza, Jimena
  • Nanver, L.K.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Solid State Electronics
Fecha: Septiembre 2008
Volumen: 52
Materias:
Palabras Clave Informales: Aluminum nitride, bipolar transistor, electrothermal phenomena, heatspreader, piezoelectric characteristics, RF integration, thermal instabilities, thermal resistance.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

To reduce the electrothermal instabilities in silicon-on-glass high-frequency bipolar devices, the integration of thin-film aluminum nitride as a heatspreader is studied. The AlN is deposited by reactive sputtering and this material is shown to fulfill all the requirements for actively draining heat from RF IC’s, i.e., it has good process compatibility, sufficiently high thermal conductivity and good electrical isolation also at high frequencies. The residual stress and the piezoelectric character of the material, both of which can be detrimental for the present application, are minimized by a suitable choice of deposition conditions including variable biasing of the substrate in a multistep deposition cycle. Films of AlN as thick as 4 lm are successfully integrated in RF silicon-on-glass bipolar junction transistors that display a reduction of more than 70% in the value of the thermal resistance.

Más información

ID de Registro: 2617
Identificador DC: http://oa.upm.es/2617/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2617
Identificador DOI: 10.1016/j.sse.2008.04.009
URL Oficial: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.authors/103/description
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 18 Mar 2010 11:18
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:15
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