Raman scattering by longitudinal optical phonons in InN nanocolumns grown on Si(111) and Si(001) substrates

Lazic, Snezana; Gallardo Velasco, Eva María; Calleja Pardo, José Manuel; Agulló-Rueda, Fernando; Grandal Quintana, Javier; Sánchez García, Miguel Angel y Calleja Pardo, Enrique (2008). Raman scattering by longitudinal optical phonons in InN nanocolumns grown on Si(111) and Si(001) substrates. "Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures", v. 40 (n. 6); pp. 2087-2090. ISSN 1386-9477. https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.118.

Descripción

Título: Raman scattering by longitudinal optical phonons in InN nanocolumns grown on Si(111) and Si(001) substrates
Autor/es:
  • Lazic, Snezana
  • Gallardo Velasco, Eva María
  • Calleja Pardo, José Manuel
  • Agulló-Rueda, Fernando
  • Grandal Quintana, Javier
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
Fecha: Abril 2008
Volumen: 40
Materias:
Palabras Clave Informales: InN nanocolumns; phonon–plasmon coupled modes; raman scattering
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Raman measurements in high-quality InN nanocolumns and thin films grown on both Si(1 1 1) and Si(1 0 0) substrates display a low-energy coupled LO phonon–plasmon mode together with uncoupled longitudinal optical (LO) phonons. The coupled mode is attributed to the spontaneous accumulation of electrons on the lateral surfaces of the nanocolumns, while the uncoupled ones originates from the inner part of the nanocolumns. The LO mode in the columnar samples appears close to the E1(LO) frequency. This indicates that most of the incident light is entering through the lateral surfaces of the nanocolumns, resulting in pure longitudinal–optical mode with quasi-E1 symmetry. For increasing growth temperature, the electron density decreases as the growth rate increases. The present results indicate that electron accumulation layers do not only form on polar surfaces of InN, but also occur on non-polar ones. According to recent calculations, we attribute the electron surface accumulation to the temperature dependent In-rich surface reconstruction on the nanocolumns sidewalls.

Más información

ID de Registro: 2620
Identificador DC: http://oa.upm.es/2620/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2620
Identificador DOI: 10.1016/j.physe.2007.09.118
URL Oficial: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/600554/description#description
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 18 Mar 2010 09:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:15
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