Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells

García Hernansanz, Rodrigo; García Hemme, Eric; Pastor Pastor, David; Prado Millán, Alvaro del; Mártil de la Plaza, Ignacio; González Díaz, Germán; Olea Ariza, Javier y Ferrer Fernández, Francisco Javier (2013). Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells. En: "Spanish Conference on Electron Devices (CDE)", 12/02/2013 - 14/02/2013, Valladolid, Spain. pp. 337-340.

Descripción

Título: Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells
Autor/es:
  • García Hernansanz, Rodrigo
  • García Hemme, Eric
  • Pastor Pastor, David
  • Prado Millán, Alvaro del
  • Mártil de la Plaza, Ignacio
  • González Díaz, Germán
  • Olea Ariza, Javier
  • Ferrer Fernández, Francisco Javier
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Fechas del Evento: 12/02/2013 - 14/02/2013
Lugar del Evento: Valladolid, Spain
Título del Libro: Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Fecha: 2013
Materias:
Palabras Clave Informales: Hydrogenated amorphous silicon; intermediate band; high pressure sputtering; HIT cell; composition; absorption bands.
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Hydrogenated amorphous silicon thin films were deposited using a high pressure sputtering (HPS) system. In this work, we have studied the composition and optical properties of the films (band-gap, absorption coefficient), and their dependence with the deposition parameters. For films deposited at high pressure (1 mbar), composition measurements show a critical dependence of the purity of the films with the RF power. Films manufactured with RF-power above 80W exhibit good properties for future application, similar to the films deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition) for hydrogenated amorphous silicon.

Más información

ID de Registro: 26348
Identificador DC: http://oa.upm.es/26348/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:26348
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6481411&tag=1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 21 May 2014 18:44
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:40
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