The intermediate band approach in the third solar cell generation context

González Díaz, Germán; Mártil de la Plaza, Ignacio; Prado Millán, Alvaro del; Pastor Pastor, David; Olea Ariza, Javier; García Hemme, Eric; García Hernansanz, Rodrigo y Wahnón Benarroch, Perla (2013). The intermediate band approach in the third solar cell generation context. En: "Spanish Conference on Electron Devices (CDE)", 12/02/2013 - 14/02/2013, Valladolid, Spain. pp. 337-340.

Descripción

Título: The intermediate band approach in the third solar cell generation context
Autor/es:
  • González Díaz, Germán
  • Mártil de la Plaza, Ignacio
  • Prado Millán, Alvaro del
  • Pastor Pastor, David
  • Olea Ariza, Javier
  • García Hemme, Eric
  • García Hernansanz, Rodrigo
  • Wahnón Benarroch, Perla
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Fechas del Evento: 12/02/2013 - 14/02/2013
Lugar del Evento: Valladolid, Spain
Título del Libro: Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Fecha: 2013
Materias:
Palabras Clave Informales: Titanium, vanadium, silicon, ion implantation, pulsed laser melting, intermediate band, solar cells
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnologías Especiales Aplicadas a la Aeronáutica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Hydrogenated amorphous silicon thin films were deposited using a high pressure sputtering (HPS) system. In this work, we have studied the composition and optical properties of the films (band-gap, absorption coefficient), and their dependence with the deposition parameters. For films deposited at high pressure (1 mbar), composition measurements show a critical dependence of the purity of the films with the RF power. Films manufactured with RF-power above 80W exhibit good properties for future application, similar to the films deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition) for hydrogenated amorphous silicon.

Más información

ID de Registro: 26626
Identificador DC: http://oa.upm.es/26626/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:26626
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6481401
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Jun 2014 16:19
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:42
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