Electrical decoupling effect on intermediate band Ti-implanted silicon layers

Pastor Pastor, David; Olea Ariza, Javier; Prado Millán, Alvaro del; García Hemme, Eric; García Hernansanz, Rodrigo; Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2013). Electrical decoupling effect on intermediate band Ti-implanted silicon layers. "Journal of Physics D: Applied Physics", v. 46 (n. 13); pp. 1-6. ISSN 0022-3727. https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/13/135108.

Descripción

Título: Electrical decoupling effect on intermediate band Ti-implanted silicon layers
Autor/es:
  • Pastor Pastor, David
  • Olea Ariza, Javier
  • Prado Millán, Alvaro del
  • García Hemme, Eric
  • García Hernansanz, Rodrigo
  • Mártil de la Plaza, Ignacio
  • González Díaz, Germán
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Physics D: Applied Physics
Fecha: Abril 2013
Volumen: 46
Materias:
Palabras Clave Informales: Electronics and devices, Semiconductors, Surfaces, interfaces and thin films Optics, quantum optics and lasers
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We investigated the electrical transport properties of ultraheavily Ti-implanted silicon layers subsequently pulsed laser melted (PLM). After PLM, the samples exhibit anomalous electrical behaviour in sheet resistance and Hall mobility measurements, which is associated with the formation of an intermediate band (IB) in the implanted layer. An analytical model that assumes IB formation and a current limitation effect between the implanted layer and the substrate was developed to analyse this anomalous behaviour. This model also describes the behaviour of the function V/Delta V and the electrical function F that can be extracted from the electrical measurements in the bilayer. After chemical etching of the implanted layer, the anomalous electrical behaviour observed in sheet resistance and Hall mobility measurements vanishes, recovering the unimplanted Si behaviour, in agreement with the analytical model. The behaviour of V/Delta V and the electrical function F can also be successfully described in terms of the analytical model in the bilayer structure with the implanted layer entirely stripped.

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ID de Registro: 26832
Identificador DC: http://oa.upm.es/26832/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:26832
Identificador DOI: 10.1088/0022-3727/46/13/135108
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/13/135108/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jun 2014 09:56
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:43
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