Vertical composition fluctuations in (Ga,In)(N,As) quantum wells grown on vicinal (1 1 1) B GaAs

Luna García de la Infanta, Esperanza; Trampert, Achim; Miguel-Sanchez, J.; Fernández González, Alvaro de Guzmán y Ploog, K.H. (2008). Vertical composition fluctuations in (Ga,In)(N,As) quantum wells grown on vicinal (1 1 1) B GaAs. "Journal of Physics and Chemistry of Solids", v. 69 (n. 2-3); pp. 343-346. ISSN 0022-3697. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2007.07.063.

Descripción

Título: Vertical composition fluctuations in (Ga,In)(N,As) quantum wells grown on vicinal (1 1 1) B GaAs
Autor/es:
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Trampert, Achim
  • Miguel-Sanchez, J.
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Ploog, K.H.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Fecha: Febrero 2008
Volumen: 69
Materias:
Palabras Clave Informales: A. Quantum wells; A. Semiconductors; B. Epitaxial growth; C. Electron microscopy; D. Luminescence
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In this work, we present a detailed transmission electron microscopy analysis of the interfacial structure and composition uniformity of (Ga,In)(N,As) quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(1 1 1)B substrates. Vertical composition fluctuations inside the (Ga,In)(N,As) quantum well are detected depending on the growth conditions, in particular the V/III flux ratio and the growth rate. This vertical composition fluctuation due to the phase separation tendency is in contrast to the (0 0 1) case, where the fluctuations proceed in the lateral direction. The specific character of the phase instabilities is discussed with respect to the spinodal decomposition of the (Ga,In)(N,As) alloy grown by step-flow on the misoriented (1 1 1)B substrates. The vertical composition fluctuations are explained by the formation of step bunches of alternating composition as a consequence of the different propagation velocity of steps with different atom terminations.

Más información

ID de Registro: 2690
Identificador DC: http://oa.upm.es/2690/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2690
Identificador DOI: 10.1016/j.jpcs.2007.07.063
URL Oficial: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/229/description#description
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 Mar 2010 11:19
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:22
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