Aluminium incorporation in AlGaN/GaN heterostructures: a comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction

Redondo-Cubero, Andrés; Gago, R.; González-Posada Flores, Fernando; Kreissig, U.; Di Forte Poisson, M-A.; Braña, A.F. y Muñoz Merino, Elias (2008). Aluminium incorporation in AlGaN/GaN heterostructures: a comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction. "Thin Solid Films", v. 516 (n. 23); pp. 8447-8452. ISSN 0040-6090. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.04.069.

Descripción

Título: Aluminium incorporation in AlGaN/GaN heterostructures: a comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction
Autor/es:
  • Redondo-Cubero, Andrés
  • Gago, R.
  • González-Posada Flores, Fernando
  • Kreissig, U.
  • Di Forte Poisson, M-A.
  • Braña, A.F.
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Thin Solid Films
Fecha: Octubre 2008
Volumen: 516
Materias:
Palabras Clave Informales: AlGaN; HEMT; RBS; ERDA; XRD
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The Al content in AlxGa1 − xN/GaN heterostructures has been determined by X-ray diffraction (XRD) and contrasted with absolute measurements from ion beam analysis (IBA) methods. For this purpose, samples with 0.1bxb0.3 grown by metal organic chemical vapour deposition on sapphire substrates have been studied. XRD and IBA corroborate the good epitaxial growth of the AlGaN layer, which slightly deteriorates with the incorporation of Al for xN0.2. The assessment of Al incorporation by XRD is quite reliable regarding the average value along the sample thickness. However, XRD analysis tends to overestimate the Al fraction at low contents, which is attributed to the presence of strain within the layer. For the highest Al incorporation, IBA detects a certain Al in-depth compositional profile that should be considered for better XRD data analysis.

Más información

ID de Registro: 2705
Identificador DC: http://oa.upm.es/2705/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2705
Identificador DOI: 10.1016/j.tsf.2008.04.069
URL Oficial: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/504106/description
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 14 May 2010 08:34
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:23
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