Observation of giant photocurrent gain in highly doped (In,Ga)N/GaN MQW-based photodiodes

Rivera de Lucas, Carlos y Muñoz Merino, Elias (2008). Observation of giant photocurrent gain in highly doped (In,Ga)N/GaN MQW-based photodiodes. "Applied Physics Letters", v. 92 (n. 23); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.2942384.

Descripción

Título: Observation of giant photocurrent gain in highly doped (In,Ga)N/GaN MQW-based photodiodes
Autor/es:
  • Rivera de Lucas, Carlos
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Junio 2008
Volumen: 92
Materias:
Palabras Clave Informales: giant photocurrent gain; capacitance-voltage; charge accumulation
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The authors report on the observation of a giant photocurrent gain (>106) in highly doped (In,Ga)N/GaN multiple-quantum-well-based photodiodes, which decreases with temperature. This large photocurrent gain appears at low forward bias and strongly depends on the current transport mechanism. Results of capacitance-voltage measurements show that the photocurrent gain is related to the screening of the built-in electric field by charge accumulation. The role of the (Al,Ga)N electron blocking layer in current transport has been studied by comparing samples nominally identical except for the existence of this layer.

Más información

ID de Registro: 2711
Identificador DC: http://oa.upm.es/2711/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2711
Identificador DOI: 10.1063/1.2942384
URL Oficial: http://apl.aip.org/applab/v92/i23
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 12 Abr 2010 10:59
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:23
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