Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy

Ulloa Herrero, José María; Anantahanasarn, S.; Van Veldhoven, P.J; Koenraad, P.M. y Nötzel, R. (2008). Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy. "Applied Physics Letters", v. 92 (n. 8); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.2884692.

Descripción

Título: Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Anantahanasarn, S.
  • Van Veldhoven, P.J
  • Koenraad, P.M.
  • Nötzel, R.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Febrero 2008
Volumen: 92
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Aeronáuticos (UPM) [antigua denominación]
Departamento: Aerotecnia [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Cross-sectional scanning tunneling microscopy is used to study at the atomic scale how the structural properties of InAsInGaAsPInP quantum dots _QDs_ are modified when an ultrathin _0–1.5 ML_ GaAs interlayer is inserted underneath the QDs. Deposition of the GaAs interlayer suppresses the influence of the AsP exchange reaction on QD formation and leads to a planarized QD growth surface. A shape transition from quantum dashes, which are strongly dissolved during capping, to well defined QDs takes place when increasing the GaAs interlayer thickness between 0 and 1.0 ML. Moreover, the GaAs interlayer allows the control of the AsP exchange reaction, reducing the QD height for increased GaAs thicknesses above 1.0 ML, and decreases the QD composition intermixing, producing almost pure InAs QDs.

Más información

ID de Registro: 2718
Identificador DC: http://oa.upm.es/2718/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2718
Identificador DOI: 10.1063/1.2884692
URL Oficial: http://apl.aip.org/applab/v92/i8
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Abr 2010 08:12
Ultima Modificación: 12 Feb 2015 13:59
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