A GaAs metalorganic vapor phase epitaxy growth process o reduce Ge out-diffusion from the Ge substrate

Galiana Blanco, Beatriz; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Algora del Valle, Carlos; Volz, K. y Stolz, W. (2008). A GaAs metalorganic vapor phase epitaxy growth process o reduce Ge out-diffusion from the Ge substrate. "Applied Physics Letters", v. 92 (n. 15); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.2901029.

Descripción

Título: A GaAs metalorganic vapor phase epitaxy growth process o reduce Ge out-diffusion from the Ge substrate
Autor/es:
  • Galiana Blanco, Beatriz
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Algora del Valle, Carlos
  • Volz, K.
  • Stolz, W.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Abril 2008
Volumen: 92
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Aeronáuticos (UPM) [antigua denominación]
Departamento: Aerotecnia [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A barrier based on GaAs for controlling the Ge out diffusion has been developed by metalorganic vapor phase epitaxy. It is based on a thin GaAs layer (50 nm) grown at a low temperature (≈500 °C) on top of a predeposition layer, showing that GaAs prevents the Ge diffusing when it is grown at a low temperature. Additionally, two different predeposition monolayers have been compared, concluding that when the Ga is deposited first, the diffusions across the GaAsGe heterointerface decrease.

Más información

ID de Registro: 2723
Identificador DC: http://oa.upm.es/2723/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2723
Identificador DOI: 10.1063/1.2901029
URL Oficial: http://apl.aip.org/applab/v92/i15
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 05 Abr 2010 10:42
Ultima Modificación: 16 Feb 2015 10:03
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