Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy

Ibáñez Insa, Jordi; Domènech Hernández, Sònia; Alarcón-Lladó, Esther; Cuscó Cornet, Ramón; Artús Surroca, Lluis; Novikov, S.V.; Foxon, C.T. y Calleja Pardo, Enrique (2008). Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy. "Journal of Applied Physics", v. 104 (n. 3); pp.. ISSN 0021-8979.

Descripción

Título: Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Ibáñez Insa, Jordi
  • Domènech Hernández, Sònia
  • Alarcón-Lladó, Esther
  • Cuscó Cornet, Ramón
  • Artús Surroca, Lluis
  • Novikov, S.V.
  • Foxon, C.T.
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Agosto 2008
Volumen: 104
Materias:
Palabras Clave Informales: GaN; AlN; AlGaN; molecular beam epitaxy
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v104/i3

Resumen

We present a far-infrared transmission study on group-III nitride thin films. Cubic GaN and AlN layers and c-oriented wurtzite GaN, AlN, and AlxGa1−xN (x<0.3) layers were grown by molecular beam epitaxy on GaAs and Si(111) substrates, respectively. The Berreman effect allows us to observe simultaneously the transverse optic and the longitudinal optic phonons of both the cubic and the hexagonal films as transmission minima in the infrared spectra acquired with obliquely incident radiation. We discuss our results in terms of the relevant electromagnetic theory of infrared transmission in cubic and wurtzite thin films. We compare the infrared results with visible Raman-scattering measurements. In the case of films with low scattering volumes and/or low Raman efficiencies and also when the Raman signal of the substrate material obscures the weaker peaks from the nitride films, we find that the Berreman technique is particularly useful to complement Raman spectroscopy

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ID de Registro: 2747
Identificador DC: http://oa.upm.es/2747/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2747
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 26 Mar 2010 09:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:25
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