Self-assembling processes involved in the molecular beam epitaxy growth of stacked InAs/InP quantum wires

Ulloa Herrero, José María; Koenraad, P.M.; Fuster, David; González Soto, Luisa; González Diez, M. Yolanda y Gonzalez, M.U (2008). Self-assembling processes involved in the molecular beam epitaxy growth of stacked InAs/InP quantum wires. "Nanotechnology", v. 19 (n. 44); pp.. ISSN 0957-4484. https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/44/445601.

Descripción

Título: Self-assembling processes involved in the molecular beam epitaxy growth of stacked InAs/InP quantum wires
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Koenraad, P.M.
  • Fuster, David
  • González Soto, Luisa
  • González Diez, M. Yolanda
  • Gonzalez, M.U
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Nanotechnology
Fecha: Noviembre 2008
Volumen: 19
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Aeronáuticos (UPM) [antigua denominación]
Departamento: Aerotecnia [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The growth mechanism of stacked InAs/InP(001) quantum wires (QWRs) is studied by combining an atomic-scale cross-sectional scanning tunnelling microscopy analysis with in situ and in real-time stress measurements along the [110] direction (sensitive to stress relaxation during QWR formation). QWRs in stacked layers grow by a non-Stranski–Krastanov (SK) process which involves the production of extra InAs by strain-enhanced As/P exchange and a strong strain driven mass transport. Despite the different growth mechanism of the QWR between the first and following layers of the stack, the QWRs maintain on average the same shape and composition in all the layers of the stack, revealing the high stability of this QWR configuration.

Más información

ID de Registro: 2773
Identificador DC: http://oa.upm.es/2773/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2773
Identificador DOI: 10.1088/0957-4484/19/44/445601
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/0957-4484/19/44/445601/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 08 Abr 2010 08:12
Ultima Modificación: 12 Feb 2015 13:59
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