Impact of carrier localization on the photoluminescence characteristics of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells

Ishikawa, Fumitario; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Brandt, Oliver; Trampert, Achim y Ploog, K.H. (2008). Impact of carrier localization on the photoluminescence characteristics of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells. "Journal of Applied Physics", v. 104 (n. 11); pp.. ISSN 0021-8979.

Descripción

Título: Impact of carrier localization on the photoluminescence characteristics of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells
Autor/es:
  • Ishikawa, Fumitario
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Brandt, Oliver
  • Trampert, Achim
  • Ploog, K.H.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Diciembre 2008
Volumen: 104
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
Pdf - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (297kB) | Vista Previa

Localizaciones alternativas

URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v104/i11

Resumen

Using photoluminescence (PL) spectroscopy, we carry out a comparative study of the optical properties of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells. The incorporation of Sb into (Ga,In)(N,As) results in a reduced quantum efficiency at low temperatures but an improved one at room temperature (RT). A PL line shape analysis as well as the temperature dependence of the PL peak energy reveals the existence of band-tail localized states in both material systems. The carrier localization energy is larger for (Ga,In)(N,As,Sb) than for (Ga,In)(N,As), leading to a longer radiative lifetime and thus a reduced quantum efficiency at low temperatures for the former material. The thermal quenching of the quantum efficiency is analyzed by a rate equation model, which shows that the density of nonradiative centers is reduced in (Ga,In)(N,As,Sb) resulting in an enhanced quantum efficiency at RT.

Más información

ID de Registro: 2777
Identificador DC: http://oa.upm.es/2777/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2777
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 08 Abr 2010 11:43
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:26
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM