Influence of the crystallization process on the luminescence of multilayers of SiGe nanocrystals embedded in SiO2

Avella Romero, Manuel; Prieto Colorado, Ángel Carmelo; Rodríguez Domínguez, Andrés; Sangrador García, Jesús; Rodríguez Rodríguez, Tomás; Ortiz Esteban, María Isabel y Ballesteros Pérez, Carmen Inés (2008). Influence of the crystallization process on the luminescence of multilayers of SiGe nanocrystals embedded in SiO2. "Materials Science and Engineering B", v. 147 (n. 2-3); pp. 200-204. ISSN 0921-5107. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2007.08.016.

Descripción

Título: Influence of the crystallization process on the luminescence of multilayers of SiGe nanocrystals embedded in SiO2
Autor/es:
  • Avella Romero, Manuel
  • Prieto Colorado, Ángel Carmelo
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Sangrador García, Jesús
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
  • Ortiz Esteban, María Isabel
  • Ballesteros Pérez, Carmen Inés
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Materials Science and Engineering B
Fecha: Febrero 2008
Volumen: 147
Materias:
Palabras Clave Informales: SiGe nanocrystals; LPCVD; crystallization; transmission electron microscopy; raman spectroscopy; cathodoluminescence
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Multilayers of SiGe nanocrystals embedded in an oxide matrix have been fabricated by low-pressure chemical vapor deposition SiO2 onto Si wafers (in a single run at 390 ◦C and 50mTorr, using GeH4, Si2 H6 and O2) followed by a rapid thermal annealing crystallize the SiGe nanoparticles. The main emission band is located at 400 nm in both cathodoluminescence and photoluminescence at 80K and also at room temperature. The annealing conditions (temperatures ranging from 700 to 1000 ◦C and for times of 30 investigated in samples with different diameter of the nanoparticles (from ≈3 to ≥5 nm) and oxide interlayer thickness (15 and establish a correlation between the crystallization of the nanoparticles, the degradation of their composition by Ge diffusion the luminescence emission band. Structures with small nanoparticles (3–4.5 nm) separated by thick oxide barriers (≈35 nm) annealed 60 s yield the maximum intensity of the luminescence. An additional treatment at 450 ◦C in forming gas for dangling-bond the intensity of the luminescence band by 25–30%.

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ID de Registro: 2791
Identificador DC: http://oa.upm.es/2791/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2791
Identificador DOI: 10.1016/j.mseb.2007.08.016
URL Oficial: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/504099/description#description
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Abr 2010 08:56
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:27
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