Growth of Nitrogen-Doped Mg~xZn~1~-~xO for Use in Visible Rejection Photodetectors

Nakamura, A.; Aoshima, T.; Hayashi, T; Gangil, S.; Temmyo, J.; Navarro Tobar, Álvaro; Pereiro Viterbo, Juan y Muñoz Merino, Elias (2008). Growth of Nitrogen-Doped Mg~xZn~1~-~xO for Use in Visible Rejection Photodetectors. "Journal of The Korean Physical Society", v. 53 (n. 5); pp. 2909-2912. ISSN 0374-4884. https://doi.org/10.3938/jkps.53.2909.

Descripción

Título: Growth of Nitrogen-Doped Mg~xZn~1~-~xO for Use in Visible Rejection Photodetectors
Autor/es:
  • Nakamura, A.
  • Aoshima, T.
  • Hayashi, T
  • Gangil, S.
  • Temmyo, J.
  • Navarro Tobar, Álvaro
  • Pereiro Viterbo, Juan
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of The Korean Physical Society
Fecha: Noviembre 2008
Volumen: 53
Materias:
Palabras Clave Informales: Schottky contact, UV detector, I-V characteristics, C-V, MgZnO
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Improvement in the Schottky behavior of metal (Au) contacts with Mg0.01Zn0.99O and Mg0.01Zn0.99O:N thin films were observed by treating the films with hydrogen peroxide (H2O2) (dipping of samples in H2O2 at 100 _C for 3 min). Contacts formed on untreated film showed Ohmic behavior in the current-voltage (I-V ) measurements. The H2O2 treatment led to a smooth surface morphology for the films and resulted in Schottky contact of Au fabricated on the treated films with barrier heights of 0.82≈0.85 eV. The absolute current density at a reverse bias of 3 V was 1≈6 × 10−6 A/cm2 for Au contacts on H2O2-treated films. The treated films showed lower electron concentration than the untreated films due to removal of the relatively high conducting top layers of the thin films. A metal-semiconductor-metal (MSM) detector was fabricated using a Mg0.05Zn0.95O:N film and was characterized for its spectral response.

Más información

ID de Registro: 2823
Identificador DC: http://oa.upm.es/2823/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2823
Identificador DOI: 10.3938/jkps.53.2909
URL Oficial: http://jkps.kps.or.kr/home/journal/library/highlight.asp?globalmenu=3&localmenu=15
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Abr 2010 12:19
Ultima Modificación: 06 Oct 2014 17:04
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