Application and modeling of GaN FET in 1MHz large signal bandwidth power supply for radio frequency power amplifier

Cucak, Dejana; Vasic, Miroslav; García Suárez, Oscar; Oliver Ramírez, Jesús Angel; Alou Cervera, Pedro; Cobos Márquez, José Antonio; Tadjer, Marko Jak; Calle Gómez, Fernando; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Waltereit, P. y Müller, S. (2013). Application and modeling of GaN FET in 1MHz large signal bandwidth power supply for radio frequency power amplifier. En: "Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13)", 10/07/2013 - 12/07/2013, Madrid, Spain. p. 5.

Descripción

Título: Application and modeling of GaN FET in 1MHz large signal bandwidth power supply for radio frequency power amplifier
Autor/es:
  • Cucak, Dejana
  • Vasic, Miroslav
  • García Suárez, Oscar
  • Oliver Ramírez, Jesús Angel
  • Alou Cervera, Pedro
  • Cobos Márquez, José Antonio
  • Tadjer, Marko Jak
  • Calle Gómez, Fernando
  • Benkhelifa, F.
  • Reiner, R.
  • Waltereit, P.
  • Müller, S.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13)
Fechas del Evento: 10/07/2013 - 12/07/2013
Lugar del Evento: Madrid, Spain
Título del Libro: Application and modeling of GaN FET in 1MHz large signal bandwidth power supply for radio frequency power amplifier
Fecha: 2013
Materias:
Escuela: Centro de Electrónica Industrial (CEI) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (3MB) | Vista Previa

Resumen

In this paper, implementation and testing of non- commercial GaN HEMT in a simple buck converter for envelope amplifier in ET and EER transmission techn iques has been done. Comparing to the prototypes with commercially available EPC1014 and 1015 GaN HEMTs, experimentally demonstrated power supply provided better thermal management and increased the switching frequency up to 25MHz. 64QAM signal with 1MHz of large signal bandw idth and 10.5dB of Peak to Average Power Ratio was gener ated, using the switching frequency of 20MHz. The obtaine defficiency was 38% including the driving circuit an d the total losses breakdown showed that switching power losses in the HEMT are the dominant ones. In addition to this, some basic physical modeling has been done, in order to provide an insight on the correlation between the electrical characteristics of the GaN HEMT and physical design parameters. This is the first step in the optimization of the HEMT design for this particular application.

Más información

ID de Registro: 29515
Identificador DC: http://oa.upm.es/29515/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:29515
URL Oficial: http://www.saaei.org/edicion13/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Abr 2015 11:50
Ultima Modificación: 25 Abr 2015 11:50
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM