Structural stability of SiGe nanoparticles under "in situ" electron beam irradiation in TEM

Ortiz Esteban, María Isabel; Rodríguez Domínguez, Andrés; Sangrador García, Jesús; Ballesteros Pérez, Carmen Inés; Kanyinda-Malu, C. y Rodríguez Rodríguez, Tomás (2008). Structural stability of SiGe nanoparticles under "in situ" electron beam irradiation in TEM. pp.. ISSN 1742-6588. https://doi.org/10.1088/1742-6596/126/1/012023.

Descripción

Título: Structural stability of SiGe nanoparticles under "in situ" electron beam irradiation in TEM
Autor/es:
  • Ortiz Esteban, María Isabel
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Sangrador García, Jesús
  • Ballesteros Pérez, Carmen Inés
  • Kanyinda-Malu, C.
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
Tipo de Documento: Artículo
Fecha: Enero 2008
Volumen: 126
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The structure of amorphous and crystalline SiGe nanoparticles, embedded in a dielectric medium, SiO2, and its stability under “in situ” electron beam irradiation is reported. High-resolution transmission electron microscopy and electron-diffraction pattern simulation by fast Fourier transform was used to analyze the crystal structure of the SiGe nanoparticles. Electron beam irradiation induces structural alternate order-disorder transitions in the nanoparticles for irradiation effects are mainly associated to the density of current. For irradiation with current densities < 7 A·cm-2 no effects are observed in the as-deposited amorphous samples, whereas in the crystallized samples, SiGe nanocrystals show higher stability and no effects are observed for irradiation densities of current < 50 A·cm-2. Irradiation with densities of current greater than these thresholds cause consecutive amorphous-crystalline or crystalline-amorphous structure transitions respectively for both amorphous and crystallized nanoparticles. A hexagonal structure is proposed for those nanocrystals obtained after irradiation in the as deposited amorphous samples.

Más información

ID de Registro: 2955
Identificador DC: http://oa.upm.es/2955/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2955
Identificador DOI: 10.1088/1742-6596/126/1/012023
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/1742-6596/126/1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 May 2010 11:01
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:34
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