A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Fernández-Garrido, Sergio; Gacevic, Zarko y Calleja Pardo, Enrique (2008). A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy. "Applied Physics Letters", v. 93 (n. 19); pp. 191907-1. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3026541.

Descripción

Título: A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Noviembre 2008
Volumen: 93
Materias:
Palabras Clave Informales: InAlN, diagram,plasma-assisted molecular,temperature, Arrhenius.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Indium incorporation and surface morphology of InAlN layers grown on (0001)GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy were investigated as a function of the impinging In flux and the substrate temperature in the 450–610 °C range. In incorporation was found to decrease with substrate temperature due to thermal decomposition of the growing layer, while for a given temperature it increased with the impinging In flux until stoichiometry was reached at the growth front. The InN losses during growth followed an Arrhenius behavior characterized by an activation energy of 2.0 eV. A growth diagram highly instrumental to identify optimum growth conditions was established.

Más información

ID de Registro: 2960
Identificador DC: http://oa.upm.es/2960/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2960
Identificador DOI: 10.1063/1.3026541
URL Oficial: http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3026541
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 May 2010 09:45
Ultima Modificación: 17 Ene 2017 11:05
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