Double ion implantation and pulsed laser melting processes for third generation solar cells

García Hemme, Eric; García Hernansanz, Rodrigo; Olea Ariza, Javier; Pastor Pastor, David; Prado Millán, Alvaro del; Mártil de la Plaza, Ignacio; Wahnón Benarroch, Perla; Sánchez Noriega, Kefrén; Palacios Clemente, Pablo y González Díaz, Germán (2013). Double ion implantation and pulsed laser melting processes for third generation solar cells. "International Journal of Photoenergy", v. 2013 ; pp. 1-7. ISSN 1110-662X. https://doi.org/10.1155/2013/473196.

Descripción

Título: Double ion implantation and pulsed laser melting processes for third generation solar cells
Autor/es:
  • García Hemme, Eric
  • García Hernansanz, Rodrigo
  • Olea Ariza, Javier
  • Pastor Pastor, David
  • Prado Millán, Alvaro del
  • Mártil de la Plaza, Ignacio
  • Wahnón Benarroch, Perla
  • Sánchez Noriega, Kefrén
  • Palacios Clemente, Pablo
  • González Díaz, Germán
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: International Journal of Photoenergy
Fecha: 2013
Volumen: 2013
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Aeronaves y Vehículos Espaciales
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In the framework of the third generation of photovoltaic devices, the intermediate band solar cell is one of the possible candidates to reach higher efficiencies with a lower processing cost. In this work, we introduce a novel processing method based on a double ion implantation and, subsequently, a pulsed laser melting (PLM) process to obtain thicker layers of Ti supersaturated Si. We perform ab initio theoretical calculations of Si impurified with Ti showing that Ti in Si is a good candidate to theoretically form an intermediate band material in the Ti supersaturated Si. From time-of-flight secondary ion mass spectroscopy measurements, we confirm that we have obtained a Ti implanted and PLM thicker layer of 135 nm. Transmission electron microscopy reveals a single crystalline structure whilst the electrical characterization confirms the transport properties of an intermediate band material/Si substrate junction. High subbandgap absorption has been measured, obtaining an approximate value of 104 cm−1 in the photons energy range from 1.1 to 0.6 eV.

Más información

ID de Registro: 33259
Identificador DC: http://oa.upm.es/33259/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:33259
Identificador DOI: 10.1155/2013/473196
URL Oficial: http://www.hindawi.com/journals/ijp/2013/473196/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 17 Ene 2015 09:38
Ultima Modificación: 17 Ene 2015 09:38
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