Highly conductive p++-AlGaAs/n ++-GaInP tunnel junctions for ultra-high concentrator solar cells

Barrigón Montañés, Enrique; García Vara, Iván; Barrutia Poncela, Laura; Rey Llorente, Ignacio del y Algora del Valle, Carlos (2014). Highly conductive p++-AlGaAs/n ++-GaInP tunnel junctions for ultra-high concentrator solar cells. "Progress in Photovoltaics", v. 22 (n. 4); pp. 399-404. ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2476.

Descripción

Título: Highly conductive p++-AlGaAs/n ++-GaInP tunnel junctions for ultra-high concentrator solar cells
Autor/es:
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • García Vara, Iván
  • Barrutia Poncela, Laura
  • Rey Llorente, Ignacio del
  • Algora del Valle, Carlos
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics
Fecha: Abril 2014
Volumen: 22
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Tunnel junctions are key for developing multijunction solar cells (MJSC) for ultra-high concentration applications. We have developed a highly conductive, high bandgap p  + + -AlGaAs/n  + + -GaInP tunnel junction with a peak tunneling current density for as-grown and thermal annealed devices of 996 A/cm 2 and 235 A/cm 2, respectively. The J–V characteristics of the tunnel junction after thermal annealing, together with its behavior at MJSCs typical operation temperatures, indicate that this tunnel junction is a suitable candidate for ultra-high concentrator MJSC designs. The benefits of the optical transparency are also assessed for a lattice-matched GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell, yielding a current density increase in the middle cell of 0.506 mA/cm 2 with respect to previous designs.

Más información

ID de Registro: 35584
Identificador DC: http://oa.upm.es/35584/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:35584
Identificador DOI: 10.1002/pip.2476
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 02 Dic 2015 19:25
Ultima Modificación: 02 Dic 2015 19:25
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