Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells

Kalyuzhnyy, Nikolay A.; Evstropov, V. V.; Lantratov, Vladimir M.; Mintairov, Sergey A.; Mintairov, M. A.; Gudovskikh, Alexander S.; Luque López, Antonio y Andreev, V. M. (2014). Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells. "International Journal of Photoenergy", v. 2014 ; pp. 1-10. ISSN 1110-662X. https://doi.org/10.1155/2014/836284.

Descripción

Título: Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells
Autor/es:
  • Kalyuzhnyy, Nikolay A.
  • Evstropov, V. V.
  • Lantratov, Vladimir M.
  • Mintairov, Sergey A.
  • Mintairov, M. A.
  • Gudovskikh, Alexander S.
  • Luque López, Antonio
  • Andreev, V. M.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: International Journal of Photoenergy
Fecha: 2014
Volumen: 2014
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A number of important but little-investigated problems connected with III-V/Ge heterostructure in the GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells grown by MOVPE are considered in the paper. The opportunity for successfully applying the combination of reflectance and reflectance anisotropy spectroscopy in situ methods for investigating III-V structure growth on a Ge substrate has been demonstrated. Photovoltaic properties of the III-V/Ge narrow-band subcell of the triple-junction solar cells have been investigated. It has been shown that there are excess currents in the Ge photovoltaic p-n junctions, and they have the tunneling or thermotunneling character. The values of the diode parameters for these current flow mechanisms have been determined. The potential barrier at the III-V/Ge interface was determined and the origin of this barrier formation during MOVPE heterogrowth was suggested.

Más información

ID de Registro: 35680
Identificador DC: http://oa.upm.es/35680/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:35680
Identificador DOI: 10.1155/2014/836284
URL Oficial: http://www.hindawi.com/journals/ijp/2014/836284/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Jun 2015 16:55
Ultima Modificación: 23 Jun 2015 16:55
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