High Intensity Low Temperature (HILT) performance of space concentrator GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs

Shvarts, Maxim; Gudovskikh, Alexander S.; Kalyuzhnyy, Nikolay A.; Mintairov, Sergey A.; Soluyanov, Andrei A.; Timoshina, Nailya Kh. y Luque López, Antonio (2014). High Intensity Low Temperature (HILT) performance of space concentrator GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs. En: "10th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems: CPV-10", 07/04/2014 - 09/04/2014, Albuquerque, New Mexico, USA. pp. 29-32.

Descripción

Título: High Intensity Low Temperature (HILT) performance of space concentrator GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs
Autor/es:
  • Shvarts, Maxim
  • Gudovskikh, Alexander S.
  • Kalyuzhnyy, Nikolay A.
  • Mintairov, Sergey A.
  • Soluyanov, Andrei A.
  • Timoshina, Nailya Kh.
  • Luque López, Antonio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 10th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems: CPV-10
Fechas del Evento: 07/04/2014 - 09/04/2014
Lugar del Evento: Albuquerque, New Mexico, USA
Título del Libro: AIP Conference Proceedings
Título de Revista/Publicación: AIP Conference Proceedings
Fecha: 2014
Volumen: 1616
Materias:
Palabras Clave Informales: Multi-junction solar cells, potential barrier, heterointerface, electroluminescence
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (632kB) | Vista Previa

Resumen

In the work, the results of an investigation of GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs intended for converting concentrated solar radiation, when operating at low temperatures (down to -190 degrees C) are presented. A kink of the cell I-V characteristic has been observed in the region close to V-oc starting from -20 degrees C at operation under concentrated sunlight. The causes for its occurrence have been analyzed and the reasons for formation of a built-in potential barrier for majority charge carriers at the n-GaInP/n-Ge isotype hetero-interface are discussed. The effect of charge carrier transport in n-GaInP/n-p Ge heterostructures on MJ SC output characteristics at low temperatures has been studied including EL technique.

Más información

ID de Registro: 35792
Identificador DC: http://oa.upm.es/35792/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:35792
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4897021
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 Jun 2015 16:52
Ultima Modificación: 24 Jun 2015 16:52
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM