Stacked GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency

Utrilla Lomas, Antonio David; Ulloa Herrero, José María; Gacevic, Zarko; Fernández González, Alvaro de Guzmán y Hierro Cano, Adrián (2014). Stacked GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency. En: "18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014)", 07/09/2014 - 12/09/2014, Flagstaff, Arizona, EE.UU. pp. 10-15.

Descripción

Título: Stacked GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency
Autor/es:
  • Utrilla Lomas, Antonio David
  • Ulloa Herrero, José María
  • Gacevic, Zarko
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014)
Fechas del Evento: 07/09/2014 - 12/09/2014
Lugar del Evento: Flagstaff, Arizona, EE.UU
Título del Libro: 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014)
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Different approaches have recently arisen aiming to exceed the Shockley-Queisser efficiency limit. Particularly, the use of self-organized quantum dots (QD) has been recently proposed in order to introduce new states within the barrier material, which enhances the subband gap absorption yielding a photocurrent increase. Stacking QD layers allows exploiting their unique properties for intermediate-band solar cells (SC) or tandem cells.In all these cases, tuning the QD properties by modifying the capping layer (CL) can be very useful.

Más información

ID de Registro: 36593
Identificador DC: http://oa.upm.es/36593/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:36593
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 01 Ago 2015 10:06
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 10:06
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