TEM study of the AlN grain orientation grown on NCD diamond substrate

Araujo Gay, Daniel; Villar Castro, María del Pilar; Lloret, Fernando; Rodríguez Madrid, Juan Gabriel; Fuentes Iriarte, Gonzalo; Williams, Oliver A. y Calle Gómez, Fernando (2014). TEM study of the AlN grain orientation grown on NCD diamond substrate. En: "12th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC 2014)", 18/06/2014 - 20/06/2014, Delphi, Greece. pp. 1-2.

Descripción

Título: TEM study of the AlN grain orientation grown on NCD diamond substrate
Autor/es:
  • Araujo Gay, Daniel
  • Villar Castro, María del Pilar
  • Lloret, Fernando
  • Rodríguez Madrid, Juan Gabriel
  • Fuentes Iriarte, Gonzalo
  • Williams, Oliver A.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 12th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC 2014)
Fechas del Evento: 18/06/2014 - 20/06/2014
Lugar del Evento: Delphi, Greece
Título del Libro: 12th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC 2014)
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Piezoelectric AlN layer grain orientation, grown by room temperature reactive sputtering, is analyzed by transmission electron microscopy (TEM).Two types of samples are studied: (i) AlN grown on well-polished NCD (nano-crystalline diamond) diamond, (ii) AlN grown on an up-side down NCD layer previously grown on a Si substrate, i.e. diamond surface as smooth as that of Si substrates. The second set of sample show a faster lignment of their AlN grain caxis attributed to it smoother diamond free surface. No grain orientation relationship between diamond substrate grain and the AlN ones is evidenced, which seems to indicate the preponderance role of the surface substrate state.

Más información

ID de Registro: 36757
Identificador DC: http://oa.upm.es/36757/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:36757
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 Dic 2015 17:16
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 17:16
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