Growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy

Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Sabido Siller, María del Carmen; Müller, M.; Schmidt, G.; Metzner, S.; Veit, P.; Bertram, F.; Sánchez García, Miguel Angel; Christen, J. y Calleja Pardo, Enrique (2014). Growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy. En: "8th International Workshop on Nitride Semicon- ductors (IWN 2014)", 24/08/2014 - 29/08/2014, Wroclaw, Poland. pp. 1-6.

Descripción

Título: Growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Sabido Siller, María del Carmen
  • Müller, M.
  • Schmidt, G.
  • Metzner, S.
  • Veit, P.
  • Bertram, F.
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Christen, J.
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Charla)
Título del Evento: 8th International Workshop on Nitride Semicon- ductors (IWN 2014)
Fechas del Evento: 24/08/2014 - 29/08/2014
Lugar del Evento: Wroclaw, Poland
Título del Libro: 8th International Workshop on Nitride Semicon- ductors (IWN 2014)
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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ID de Registro: 36787
Identificador DC: http://oa.upm.es/36787/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:36787
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 20 Dic 2015 11:16
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 11:16
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