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Growth of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy
Cita
Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Sabido Siller, María del Carmen; Müller, M.; Schmidt, G.; Metzner, S.; Veit, P.; Bertram, F.; Sánchez García, Miguel Angel; Christen, J. y Calleja Pardo, Enrique (2014). Growth of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy. En: "European Materials Research Society (E-MRS) 2014 Spring Meeting", 19/05/2014 - 26/05/2014, Lille, France. pp. 1-4.
Descripción
| Título: | Growth of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy |
|---|---|
| Autor/es: |
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| Tipo de Documento: | Ponencia en Congreso o Jornada (Charla) |
| Título del Evento: | European Materials Research Society (E-MRS) 2014 Spring Meeting |
| Fechas del Evento: | 19/05/2014 - 26/05/2014 |
| Lugar del Evento: | Lille, France |
| Título del Libro: | European Materials Research Society (E-MRS) 2014 Spring Meeting |
| Fecha: | 2014 |
| Materias: | |
| Escuela: | Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM) |
| Departamento: | Otro |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
Efficiency drop in the green–yellow region in planar InGaN structures associated with: -high defect density -high spontaneous and piezoelectric polarization
Más información
| ID de Registro: | 36788 |
|---|---|
| Identificador DC: | http://oa.upm.es/36788/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:36788 |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 05 Dic 2015 09:39 |
| Ultima Modificación: | 31 Oct 2018 11:17 |
