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Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N
Cita
Kurtz de Griñó, Alejandro; Hierro Cano, Adrián; Gura, Leonard; Muñoz Merino, Elías y Chauveau, Jean Michelle (2014). Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N. En: "2014 MRS Fall Meeting & Exhibit", 30/11/2014 - 05/12/2014, Boston, Massachusetts, EE.UU. pp. 1-15.
Descripción
| Título: | Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N |
|---|---|
| Autor/es: |
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| Tipo de Documento: | Ponencia en Congreso o Jornada (Charla) |
| Título del Evento: | 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit |
| Fechas del Evento: | 30/11/2014 - 05/12/2014 |
| Lugar del Evento: | Boston, Massachusetts, EE.UU |
| Título del Libro: | 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit |
| Fecha: | 2014 |
| Materias: | |
| Escuela: | Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM) |
| Departamento: | Ingeniería Electrónica |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
High intrinsic carrier concentration (n-type) • Efforts to reduce this effect: • Homoepitaxy1 • Non-polar orientations • Similar samples exhibit residual doping as low as ~1014 cm-3 (2) The path to p-type doping • Many dopants proposed • N is a promising candidate • Simple NO is a deep level • Complex levels have shallower energies • N-related levels observed near the VB by many groups • Energies between 130 meV and 160 meV from VBM
Más información
| ID de Registro: | 36804 |
|---|---|
| Identificador DC: | http://oa.upm.es/36804/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:36804 |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 03 Nov 2015 19:09 |
| Ultima Modificación: | 06 Jun 2016 19:09 |
