Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N

Kurtz de Griñó, Alejandro; Hierro Cano, Adrián; Gura, Leonard; Muñoz Merino, Elías y Chauveau, Jean Michelle (2014). Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N. En: "2014 MRS Fall Meeting & Exhibit", 30/11/2014 - 05/12/2014, Boston, Massachusetts, EE.UU. pp. 1-15.

Descripción

Título: Deep level analysis of homoepitaxial ZnO doped with N
Autor/es:
  • Kurtz de Griñó, Alejandro
  • Hierro Cano, Adrián
  • Gura, Leonard
  • Muñoz Merino, Elías
  • Chauveau, Jean Michelle
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Charla)
Título del Evento: 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
Fechas del Evento: 30/11/2014 - 05/12/2014
Lugar del Evento: Boston, Massachusetts, EE.UU
Título del Libro: 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

High intrinsic carrier concentration (n-type) • Efforts to reduce this effect: • Homoepitaxy1 • Non-polar orientations • Similar samples exhibit residual doping as low as ~1014 cm-3 (2) The path to p-type doping • Many dopants proposed • N is a promising candidate • Simple NO is a deep level • Complex levels have shallower energies • N-related levels observed near the VB by many groups • Energies between 130 meV and 160 meV from VBM

Más información

ID de Registro: 36804
Identificador DC: http://oa.upm.es/36804/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:36804
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Nov 2015 19:09
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 19:09
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