Ionization energies of amphoteric-doped Cu2ZnSnS4: Photovoltaic application

Tablero Crespo, César (2014). Ionization energies of amphoteric-doped Cu2ZnSnS4: Photovoltaic application. "Journal of Alloys and Compounds", v. 586 ; pp. 22-27. ISSN 0925-8388. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.10.053.

Descripción

Título: Ionization energies of amphoteric-doped Cu2ZnSnS4: Photovoltaic application
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Alloys and Compounds
Fecha: 2014
Volumen: 586
Materias:
Palabras Clave Informales: Electronic structure; Semiconductors; Photovoltaics; Intermediate band
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The substitution of Cu, Sn or Zn in the quaternary Cu2ZnSnS4 semiconductor by impurities that introduce intermediate states in the energy bandgap could have important implications either for photovoltaic or spintronic applications. This allows more generation–recombination channels than for the host semiconductor. We explore and discuss this possibility by obtaining the ionization energies from total energy first-principles calculations. The three substitutions of Cu, Sn and Zn by impurities are analyzed. From these results we have found that several impurities have an amphoteric behavior with the donor and acceptor energies in the energy bandgap. In order to analyze the role of the ionization energies in both the radiative and non-radiative processes, the host energy bandgap and the acceptor and the donor energies have been obtained as a function of the inward and outward impurity-S displacements. We carried out the analysis for both the natural and synthetic CZTS. The results show that the ionization energies are similar, whereas the energy band gaps are different.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
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FP7/283798NGCPVUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDA new generation of concentrator photovoltaic cells, modules and systems
Comunidad de MadridS-2009/ENE-1477Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 37238
Identificador DC: http://oa.upm.es/37238/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37238
Identificador DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.10.053
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838813024444
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 02 Ago 2015 07:35
Ultima Modificación: 01 Mar 2016 23:56
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