Diseño, simulación y medida de un amplificador basado en estructura balanceada en la banda de 2000 MHz

Mesegar Dorta, David (2015). Diseño, simulación y medida de un amplificador basado en estructura balanceada en la banda de 2000 MHz. Proyecto Fin de Carrera / Trabajo Fin de Grado, E.T.S.I. Telecomunicación (UPM), Madrid.

Description

Title: Diseño, simulación y medida de un amplificador basado en estructura balanceada en la banda de 2000 MHz
Author/s:
  • Mesegar Dorta, David
Contributor/s:
  • Barba Gea, Mariano
Item Type: Final Project
Date: July 2015
Subjects:
Freetext Keywords: Amplificador balanceado, microondas, acoplador híbrido; simulación circuital, parámetros S, transistor BJT
Faculty: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Department: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
Creative Commons Licenses: Recognition - No derivative works - Non commercial

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Abstract

El trabajo consistirá en la fabricación de un amplificador en banda 3G pasando por todos los pasos del proceso, desde el análisis y diseño teórico, la simulación circuital y, por último, la fabricación y caracterización del amplificador. Se ha escogido una estructura balanceada, consistente en dos acopladores 3dB 90º colocados en cascada con dos amplificadores conectados entre las salidas del primero y las entradas del segundo, por la considerable ventaja que supone en términos de linealidad de la ganancia y simplicidad en la adaptación. La primera tarea a desarrollar será definir los valores teóricos a emplear en los componentes de la estructura, esto es, la caracterización de los acopladores 3dB 90º, de los transistores BJT y de las posibles etapas de acoplo necesarias para el correcto funcionamiento del mismo. Se comenzará empleando los modelos ideales de los componentes, realizando una primera simulación en MatLab para obtener los valores de los elementos que serán introducidos en el simulador circuital, en este proyecto ADS. Una vez terminada el diseño teórico ideal se procederá a introducir efectos perturbadores en la simulación circuital que representen más adecuadamente el comportamiento real que se encontrará al fabricar el prototipo. Se diseñará mediante simulación circuital (ADS) el amplificador considerando los parámetros circuitales de los componentes considerados (BJT NPN) procedentes de la hoja de especificaciones del fabricante. Una vez diseñado este, se ajustará el diseño del módulo amplificador teniendo en cuenta el comportamiento de las conexiones en microondas. El efecto de estas conexiones se considerará mediante equivalentes circuitales. Con todo esto se analizará el circuito completo, y con estos elementos introducidos se buscará optimizar el diseño teórico inicial para mantener dichos efectos perturbadores centro de un margen aceptable. Proseguirá el trabajo con la fabricación del prototipo, empleando líneas microstrip para los acopladores, y transistores BJT para los amplificadores. Terminada la fabricación se realizará la última tarea del trabajo, consistente en la medida del prototipo en el laboratorio, donde se observará la respuesta en frecuencia en módulo y fase de la estructura, realizando la caracterización en parámetros S del amplificador. Se analizarán los resultados y se compararán estos con el diseño, en caso de existir diferencias entre ambos se intentará encontrar la justificación

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Item ID: 37337
DC Identifier: http://oa.upm.es/37337/
OAI Identifier: oai:oa.upm.es:37337
Deposited by: Biblioteca ETSI Telecomunicación
Deposited on: 31 Aug 2015 11:02
Last Modified: 31 Aug 2015 11:02
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