Simulation and geometrical design of multi-section tapered semiconductor optical amplifiers at 1.57 µm

Garcia Tijero, Jose Manuel; Vilera Suárez, Mariafernanda; Consoli Barone, Antonio; Esquivias Moscardo, Ignacio y Borruel, Luis (2014). Simulation and geometrical design of multi-section tapered semiconductor optical amplifiers at 1.57 µm. En: "Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI", May 2, 2014. ISBN 9781628410822.

Descripción

Título: Simulation and geometrical design of multi-section tapered semiconductor optical amplifiers at 1.57 µm
Autor/es:
  • Garcia Tijero, Jose Manuel
  • Vilera Suárez, Mariafernanda
  • Consoli Barone, Antonio
  • Esquivias Moscardo, Ignacio
  • Borruel, Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI
Fechas del Evento: May 2, 2014
Título del Libro: SPIE Proceedings Vol. 9134: Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI
Título de Revista/Publicación: Proc. of SPIE Vol. 9134, Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI
Fecha: 2014
ISBN: 9781628410822
Materias:
Escuela: E.T.S. Arquitectura (UPM)
Departamento: Estructuras y Física de Edificación
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Fully integrated semiconductor master-oscillator power-amplifiers (MOPA) with a tapered power amplifier are attractive sources for applications requiring high brightness. The geometrical design of the tapered amplifier is crucial to achieve the required power and beam quality. In this work we investigate by numerical simulation the role of the geometrical design in the beam quality and in the maximum achievable power. The simulations were performed with a Quasi-3D model which solves the complete steady-state semiconductor and thermal equations combined with a beam propagation method. The results indicate that large devices with wide taper angles produce higher power with better beam quality than smaller area designs, but at expenses of a higher injection current and lower conversion efficiency.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaTEC2012-38864-C03-02Sin especificarSin especificarSin especificar
FP7313200BRITESPACEUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDHigh Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

Más información

ID de Registro: 37440
Identificador DC: http://oa.upm.es/37440/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37440
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 16 Sep 2015 08:08
Ultima Modificación: 16 Sep 2015 08:08
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