3-D modeling of perimeter recombination in GaAs diodes and its influence on concentrator solar cells

Ochoa Gómez, Mario; Algora del Valle, Carlos; Espinet González, Pilar y García Vara, Iván (2014). 3-D modeling of perimeter recombination in GaAs diodes and its influence on concentrator solar cells. "Solar Energy Materials and Solar Cells", v. 120 (n. Part A); pp. 48-58. ISSN 0927-0248. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2013.08.009.

Descripción

Título: 3-D modeling of perimeter recombination in GaAs diodes and its influence on concentrator solar cells
Autor/es:
  • Ochoa Gómez, Mario
  • Algora del Valle, Carlos
  • Espinet González, Pilar
  • García Vara, Iván
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Solar Energy Materials and Solar Cells
Fecha: Enero 2014
Volumen: 120
Materias:
Palabras Clave Informales: Perimeter, Recombination, Model, Surface channel, Potential
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

This paper describes a complete modelling of the perimeter recombination of GaAs diodes which solves most unknowns and suppresses the limitations of previous models. Because of the three dimensional nature of the implemented model, it is able to simulate real devices. GaAs diodes on two epiwafers with different base doping levels, sizes and geometries, namely square and circular are manufactured. The validation of the model is achieved by fitting the experimental measurements of the dark IV curve of the manufactured GaAs diodes. A comprehensive 3-D description of the occurring phenomena affecting the perimeter recombination is supplied with the help of the model. Finally, the model is applied to concentrator GaAs solar cells to assess the impact of their doping level, size and geometry on the perimeter recombination.

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TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaIPT-2011-1408-420000Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaTEC2011-28639-C02-01Sin especificarSin especificarSin especificar
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Comunidad de MadridS2009/ENE1477Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 37477
Identificador DC: http://oa.upm.es/37477/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37477
Identificador DOI: 10.1016/j.solmat.2013.08.009
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092702481300408X
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 20 Dic 2015 12:35
Ultima Modificación: 01 Feb 2016 23:56
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