Stress compensation by gap monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells

Alonso Alvarez, Diego; González Taboada, Alfonso; González Diez, M. Yolanda; Ripalda Cobián, Jose María; Alén Millán, Benito; González Soto, Luisa; García Martín, Jorge Miguel; Luque López, Antonio; Martí Vega, Antonio; Briones Fernández-Pola, Fernando; Sánchez, Almudena M. y Molina Rubio, Sergio Ignacio (2008). Stress compensation by gap monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells. En: "33rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference. PVSC '08", 11/05/2008-16/05/2008, San Diego, EEUU. ISBN 978-1-4244-1641. pp. 1719-1724.

Descripción

Título: Stress compensation by gap monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells
Autor/es:
  • Alonso Alvarez, Diego
  • González Taboada, Alfonso
  • González Diez, M. Yolanda
  • Ripalda Cobián, Jose María
  • Alén Millán, Benito
  • González Soto, Luisa
  • García Martín, Jorge Miguel
  • Luque López, Antonio
  • Martí Vega, Antonio
  • Briones Fernández-Pola, Fernando
  • Sánchez, Almudena M.
  • Molina Rubio, Sergio Ignacio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 33rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference. PVSC '08
Fechas del Evento: 11/05/2008-16/05/2008
Lugar del Evento: San Diego, EEUU
Título del Libro: Photovoltaic Specialists Conference, 2008. PVSC '08. 33rd IEEE
Fecha: 2008
ISBN: 978-1-4244-1641
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In this work we report the stacking of 10 and 50 InAs quantum dots layers using 2 monolayers of GaP for stress compensation and a stack period of 18 nm on GaAs (001) substrates. Very good structural and optical quality is found in both samples. Vertical alignment of the dots is observed by transmission electron microscopy suggesting the existence of residual stress around them. Photocurrent measurements show light absorption up to 1.2 μm in the nanostructures together with a reduction in the blue response of the device. As a result of the phosphorus incorporation in the barriers, a very high thermal activation energy (431 meV) has also been obtained for the quantum dot emission.

Más información

ID de Registro: 3755
Identificador DC: http://oa.upm.es/3755/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:3755
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=4815197
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Jul 2010 08:17
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:14
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