Piezoelectric Microresonators Based on Aluminim Nitride for Mass Sensing Applications

González Castilla, Sheila; Olivares Roza, Jimena; Iborra Grau, Enrique; Clement Lorenzo, Marta; Sangrador García, Jesús; Malo Gomez, Javier y Izpura Torres, José Ignacio (2008). Piezoelectric Microresonators Based on Aluminim Nitride for Mass Sensing Applications. En: "IEEE SENSORS 2008 Conference", 26/10/2008-29/10/2008, Lecce, Italia. ISBN 978-1-4244-2580-8. pp. 486-489. https://doi.org/10.1109/ICSENS.2008.4716483 Summary: In this wor.

Descripción

Título: Piezoelectric Microresonators Based on Aluminim Nitride for Mass Sensing Applications
Autor/es:
  • González Castilla, Sheila
  • Olivares Roza, Jimena
  • Iborra Grau, Enrique
  • Clement Lorenzo, Marta
  • Sangrador García, Jesús
  • Malo Gomez, Javier
  • Izpura Torres, José Ignacio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: IEEE SENSORS 2008 Conference
Fechas del Evento: 26/10/2008-29/10/2008
Lugar del Evento: Lecce, Italia
Título del Libro: Sensors, 2008 IEEE
Fecha: 2008
ISBN: 978-1-4244-2580-8
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Abstract—In this work we analyze the vibrational behavior of microresonators (cantilevers and bridges) actuated with piezoelectric aluminum nitride (AlN) films, to investigate the suitability of these devices as mass sensors. The resonators of different geometries consisted of a freestanding unimorph structure made up of a metal/AlN/metal piezoelectric stack supported by a Si3N4 structural layer. The out-of-plane motion of the resonators was assessed by laser interferometry. The electrical impedance of the devices exhibited significant variations at some resonant frequencies ranging from 0.5 MHz to 13 MHz. The mass sensitivity of the microresonators was evaluated through the frequency shift of the resonant modes when loading the resonators with SiO2 films. High order resonant modes provided higher mass sensitivities, with values as low as 6 ag/Hz, which improved significantly our previous results.

Más información

ID de Registro: 3872
Identificador DC: http://oa.upm.es/3872/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:3872
Identificador DOI: 10.1109/ICSENS.2008.4716483 Summary: In this wor
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=4703548
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Jul 2010 10:12
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:18
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