The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs

Haxha, V.; Garg, R.; Migliorato, M.A.; Drouzas, I.W.; Ulloa Herrero, José María; Koenraad, P.M.; Steer, M.J.; Liu, H.Y.; Hopkinson, M. y Mowbray, D.J. (2008). The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs. En: "8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008", 01/09/2008-05/09/2008, Nottingham, UK. ISBN 978-1-4244-2307-1.

Descripción

Título: The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
Autor/es:
  • Haxha, V.
  • Garg, R.
  • Migliorato, M.A.
  • Drouzas, I.W.
  • Ulloa Herrero, José María
  • Koenraad, P.M.
  • Steer, M.J.
  • Liu, H.Y.
  • Hopkinson, M.
  • Mowbray, D.J.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
Fechas del Evento: 01/09/2008-05/09/2008
Lugar del Evento: Nottingham, UK
Título del Libro: NUSOD '08 : Proceedings of the 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices
Fecha: 2008
ISBN: 978-1-4244-2307-1
Materias:
Escuela: Otros Centros UPM
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In this paper we show the use of an optimally parameterized empirical potential of the Abell-Tersoff type for atomistic simulations of the elastic properties of the epitaxially grown quaternary alloy InGaAsSb. We find that the strain energy as a function of composition does not follow intuitive averages between the binary constituents. Furthermore we will provide an explanation for the often observed decomposition into ternary components. The predictions of our model appear to be substantiated by experimental evidence of growth of InAs self assembled quantum dots capped by GaSbAs.

Más información

ID de Registro: 3894
Identificador DC: http://oa.upm.es/3894/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:3894
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=04668267
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2010 07:58
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:19
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