Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms

Migliorato, M.A.; Haxha, V.; Garg, R.; Drouzas, I.W.; Ulloa Herrero, José María; Koenraad, P.M.; Steer, M.J.; Liu, H.Y.; Hopkinson, M. y Mowbray, D.J. (2008). Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms. En: "17th European Heterostructure Technology Workshop (Hetech 2008)", 02/11/2008-05/11/2008, Venecia, Italia. ISBN 978-8-861-29296-3.

Descripción

Título: Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms
Autor/es:
  • Migliorato, M.A.
  • Haxha, V.
  • Garg, R.
  • Drouzas, I.W.
  • Ulloa Herrero, José María
  • Koenraad, P.M.
  • Steer, M.J.
  • Liu, H.Y.
  • Hopkinson, M.
  • Mowbray, D.J.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 17th European Heterostructure Technology Workshop (Hetech 2008)
Fechas del Evento: 02/11/2008-05/11/2008
Lugar del Evento: Venecia, Italia
Título del Libro: Proceedings of the 17th European Workshop on Heterostructure Technology
Fecha: 2008
ISBN: 978-8-861-29296-3
Materias:
Escuela: Otros Centros UPM
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Modelling of III-V semiconductor materials and nanostructures has been a very active field in the last 15 years. The rapid development in the material synthesis of low dimensional structures for optical applications has triggered a world wide interest for modelling methods capable of accurately describing systems comprising millions of atoms. With the development of empirical or semiempirical methods, together with the ever increasing computational power available to scientists, it is now possible to model e.g. quantum dots inside simulation boxes comprising 3 million atoms. In this talk we will review the most recent developments in the field of empirical atomistic methods, particularly the bond order potentials, and discuss its links and reliance on ab initio calculations. The links between these methods and modeling of segregation effect will also be discussed.

Más información

ID de Registro: 3901
Identificador DC: http://oa.upm.es/3901/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:3901
URL Oficial: http://www.hetech2008.org/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Jul 2010 07:59
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:19
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