Demonstration of the operation principles of intermediate band solar cells at room temperature

López Estrada, Esther; Datas Medina, Alejandro; Ramiro Gonzalez, Iñigo; García-Linares Fontes, Pablo; Antolín Fernández, Elisa; Artacho Huertas, Irene; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Shoji, Y.; Sogabe, T.; Ogura, A. y Okada, Y. (2016). Demonstration of the operation principles of intermediate band solar cells at room temperature. "Solar Energy Materials and Solar Cells", v. 149 (n. May'16); pp. 15-18. ISSN 0927-0248. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2015.12.031.

Descripción

Título: Demonstration of the operation principles of intermediate band solar cells at room temperature
Autor/es:
  • López Estrada, Esther
  • Datas Medina, Alejandro
  • Ramiro Gonzalez, Iñigo
  • García-Linares Fontes, Pablo
  • Antolín Fernández, Elisa
  • Artacho Huertas, Irene
  • Martí Vega, Antonio
  • Luque López, Antonio
  • Shoji, Y.
  • Sogabe, T.
  • Ogura, A.
  • Okada, Y.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Solar Energy Materials and Solar Cells
Fecha: Mayo 2016
Volumen: 149
Materias:
Palabras Clave Informales: Intermediate band solar cells; InGaAs/AlGaAs quantum dots; Two-photon photocurrent; Voltage preservation
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Grupo Investigación UPM: Silicio y Nuevos Conceptos de Células Solares
Licencias Creative Commons: Ninguna

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Resumen

In this work we report, for the first time at room temperature, experimental results that prove, simultaneously in the same device, the two main physical principles involved in the operation of intermediate band solar cells: (1) the production of sub-bandgap photocurrent by two optical transitions through the intermediate band; (2) the generation of an output voltage which is not limited by the photon energy absorption threshold. These principles, which had always required cryogenic temperatures to be evidenced all together, are now demonstrated at room temperature on an intermediate band solar cell based on InAs quantum dots with Al0.3Ga0.7As barriers.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7283798NGCPVAntonio LuqueNew Generation of Concentration Photovoltaic Systems
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780PROMESAAntonio MartíSin especificar
Gobierno de EspañaENE2012-37804-C02-01PROMESAAntonio LuqueSin especificar

Más información

ID de Registro: 39030
Identificador DC: http://oa.upm.es/39030/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:39030
Identificador DOI: 10.1016/j.solmat.2015.12.031
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927024815006790
Depositado por: Prof. Antonio Martí Vega
Depositado el: 14 Ene 2016 11:55
Ultima Modificación: 01 Jul 2017 22:30
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