Nanoporous GaN by UV assisted electroless etching for sensor applications

Sillero Herrero, Eugenio; Eickhoff, M. y Calle Gómez, Fernando (2008). Nanoporous GaN by UV assisted electroless etching for sensor applications. En: "The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)", 06/10/2008-10/10/2008, Montreaux, Suiza.

Descripción

Título: Nanoporous GaN by UV assisted electroless etching for sensor applications
Autor/es:
  • Sillero Herrero, Eugenio
  • Eickhoff, M.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
Fechas del Evento: 06/10/2008-10/10/2008
Lugar del Evento: Montreaux, Suiza
Título del Libro: Proceedings of the 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
Fecha: 2008
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaN-based devices have demonstrated excellent performance for electronics and optoelectronics applications. In particular, these devices exhibit very good performance when operated at high temperatures and in harsh environments when compared to similar devices fabricated with conventional material systems. The good stability, durability and biocompatibility of the nitrides have also led to the development of GaN based chemical and biological gas sensors. These devices have been developed using Schottky diodes with platinum or palladium contacts on GaN and AlGaN/GaN structures [1-3] and showed high sensitivity. However, the response may be further improved if the effective surface área is increased, allowing a more efficient accumulation of the gas induced dipole layer [4]. In this paper fabrication and characterization of nanoporous GaN is presented as a fírst step for the fabrication of improved GaN gas sensors.

Más información

ID de Registro: 3913
Identificador DC: http://oa.upm.es/3913/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:3913
URL Oficial: http://iwn2008.epfl.ch/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jul 2010 07:58
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:20
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