Effect of Sb on the quantum efficiency of GaInP solar cells

Barrigón Montañés, Enrique; Barrutia Poncela, Laura; Ochoa Gómez, Mario; Rey-Stolle Prado, Ignacio y Algora del Valle, Carlos (2016). Effect of Sb on the quantum efficiency of GaInP solar cells. "Progress in Photovoltaics: Research and Applications" ; ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2777.

Descripción

Título: Effect of Sb on the quantum efficiency of GaInP solar cells
Autor/es:
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Barrutia Poncela, Laura
  • Ochoa Gómez, Mario
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Algora del Valle, Carlos
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Fecha: 18 Abril 2016
Materias:
Palabras Clave Informales: GaInP;Sb;EQE;Ordering
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Grupo Investigación UPM: Semiconductores III-V
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The energy bandgap of GaInP solar cells can be tuned by modifying the degree of order of the alloy. In this study, we employed Sb to increase the energy bandgap of the GaInP and analyzed its impact on the performance of GaInP solar cells. An effective change in the cutoff wavelength of the external quantum efficiency of GaInP solar cells and an effective increase of 50 mV in the open-circuit voltage of GaInP/Ga(In)As/Ge triple junction solar cells were obtained with the use of Sb. Copyright © 2016 John Wiley & Sons, Ltd.

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Más información

ID de Registro: 40137
Identificador DC: http://oa.upm.es/40137/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40137
Identificador DOI: 10.1002/pip.2777
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/pip.2777/abstract
Depositado por: Dr Ignacio Rey-Stolle
Depositado el: 03 May 2016 10:40
Ultima Modificación: 01 May 2017 22:30
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