Correlation among Growth Conditions, Morphology, and Optical Properties of Nanocolumnar InGaN/GaN Heterostructures Selectively Grown by Molecular Beam Epitaxy

Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Kong, Xiang; Sánchez García, Miguel Ángel; Trampert, Achim y Calleja Pardo, Enrique (2015). Correlation among Growth Conditions, Morphology, and Optical Properties of Nanocolumnar InGaN/GaN Heterostructures Selectively Grown by Molecular Beam Epitaxy. "Crystal Growth & Design", v. 15 (n. 6); pp. 2661-2666. ISSN 1528-7483. https://doi.org/10.1021/cg501798j.

Descripción

Título: Correlation among Growth Conditions, Morphology, and Optical Properties of Nanocolumnar InGaN/GaN Heterostructures Selectively Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autor/es:
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Kong, Xiang
  • Sánchez García, Miguel Ángel
  • Trampert, Achim
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Crystal Growth & Design
Fecha: 2015
Volumen: 15
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

This work reports on the selective area growth mechanism of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns. The evolution of the morphology of the InGaN segment is found to depend critically on the nominal III/V ratio as well as the diameter of the GaN section. In addition, the In distribution inside the InGaN segment is found to depend on the local III/V and In/Ga ratios.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7GECCO 280694-2Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaCAM/P2009/ESP- 1503Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaMICINN MAT2011-26703Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 40859
Identificador DC: http://oa.upm.es/40859/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40859
Identificador DOI: 10.1021/cg501798j
URL Oficial: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cg501798j
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Sep 2016 17:07
Ultima Modificación: 06 Sep 2016 17:07
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