Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate

Kong, Xiang; Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Sánchez García, Miguel Angel; Calleja Pardo, Enrique; Calle Gómez, Fernando y Trampert, Achim (2015). Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate. "Physica Status Solidi A-Applications and materials science", v. 212 (n. 4); pp. 736-739. ISSN 1862-6300. https://doi.org/10.1002/pssa.201400198.

Descripción

Título: Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate
Autor/es:
  • Kong, Xiang
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Calle Gómez, Fernando
  • Trampert, Achim
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica Status Solidi A-Applications and materials science
Fecha: 2015
Volumen: 212
Materias:
Palabras Clave Informales: Axial (In,Ga)N/GaN nanowire, lattice pulling effect, plastic strain relaxation, transmission electron microscopy
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Transmission electron microscopy and spatially resolved electron energy-loss spectroscopy have been applied to investigate the indium distribution and the interface morphology in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures. The ordered axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures with an indium concentration up to 80% are grown by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111) substrates. We observed a pronounced lattice pulling effect in all the nanowire samples given in a broad transition region at the interface. The lattice pulling effect becomes smaller and the (In,Ga)N/GaN interface width is reduced as the indium concentration is increased in the (In,Ga)N section. The result can be interpreted in terms of the increased plastic strain relaxation via the generation of the misfit dislocations at the interface.

Más información

ID de Registro: 40867
Identificador DC: http://oa.upm.es/40867/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40867
Identificador DOI: 10.1002/pssa.201400198
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201400198/abstract;jsessionid=6BBC3D5F07A52EEE46DF3FDD163046DF.f03t02
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Sep 2016 18:11
Ultima Modificación: 06 Sep 2016 18:11
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