Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors

Guzmán, Álvaro de; Yamamoto, Kenji; Ulloa Herrero, José María; Llorens Molina, Juan Antonio y Hierro Cano, Adrián (2015). Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors. "Applied Physics Letters", v. 107 (n. 1); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4926364.

Descripción

Título: Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
Autor/es:
  • Guzmán, Álvaro de
  • Yamamoto, Kenji
  • Ulloa Herrero, José María
  • Llorens Molina, Juan Antonio
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: 2015
Volumen: 107
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (2MB) | Vista Previa

Resumen

InAs/GaAs1−xSbx Quantum Dot (QD) infrared photodetectors are analyzed by photocurrent spectroscopy. We observe that the integrated responsivity of the devices is improved with the increasing Sb mole fraction in the capping layer, up to 4.2 times for x = 17%. Since the QD layers are not vertically aligned, the vertical transport of the carriers photogenerated within the QDs takes place mainly through the bulk material and the wetting layer of the additional QD regions. The lower thickness of the wetting layer for high Sb contents results in a reduced capture probability of the photocarriers, thus increasing the photoconductive gain and hence, the responsivity of the device. The growth of not vertically aligned consecutive QD layers with a thinner wetting layer opens a possibility to improve the performance of quantum dot infrared photodetectors.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaMAT2013-47102-C2-2-RSin especificarMinisterio de Economía y CompetitividadSin especificar
Gobierno de EspañaENE2012-37804- C02-02Sin especificarMinisterio de Economía y CompetitividadSin especificar
Gobierno de EspañaAIC-B-2011-0806Sin especificarMinisterio de Economía y CompetitividadSin especificar

Más información

ID de Registro: 40872
Identificador DC: http://oa.upm.es/40872/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40872
Identificador DOI: 10.1063/1.4926364
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/107/1/10.1063/1.4926364
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 02 Jul 2016 10:34
Ultima Modificación: 02 Jul 2016 10:34
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM