Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates

Niehle, M.; Trampert, Achim; Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana y Calleja Pardo, Enrique (2015). Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates. "APL Materials", v. 3 (n. 3); pp.. ISSN 2166-532X. https://doi.org/10.1063/1.4914102.

Descripción

Título: Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates
Autor/es:
  • Niehle, M.
  • Trampert, Achim
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: APL Materials
Fecha: 2015
Volumen: 3
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We present results of scanning transmission electron tomography on GaN/(In,Ga)N/GaN nanocolumns (NCs) that grew uniformly inclined towards the patterned, semi-polar GaN( 112̄ 2 ) substrate surface by molecular beam epitaxy. For the practical realization of the tomographic experiment, the nanocolumn axis has been aligned parallel to the rotation axis of the electron microscope goniometer. The tomographic reconstruction allows for the determination of the three-dimensional indium distribution inside the nanocolumns. This distribution is strongly interrelated with the nanocolumn morphology and faceting. The (In,Ga)N layer thickness and the indium concentration differ between crystallographically equivalent and non-equivalent facets. The largest thickness and the highest indium concentration are found at the nanocolumn apex parallel to the basal planes.

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ID de Registro: 40873
Identificador DC: http://oa.upm.es/40873/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40873
Identificador DOI: 10.1063/1.4914102
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/aplmater/3/3/10.1063/1.4914102
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 05 Sep 2016 16:51
Ultima Modificación: 05 Sep 2016 16:51
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