Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology

Llorens Molina, Juan Antonio; Wewior, L.; Cardozo de Oliveira, E.R.; Ulloa Herrero, José María; Utrilla Lomas, Antonio David; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Hierro Cano, Adrián y Alén Millán, Benito (2015). Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology. "Applied Physics Letters", v. 107 (n. 18); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4934841.

Descripción

Título: Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
Autor/es:
  • Llorens Molina, Juan Antonio
  • Wewior, L.
  • Cardozo de Oliveira, E.R.
  • Ulloa Herrero, José María
  • Utrilla Lomas, Antonio David
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
  • Alén Millán, Benito
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Noviembre 2015
Volumen: 107
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

External control over the electron and hole wavefunctions geometry and topology is investigated in a p-i-n diode embedding a dot-in-a-well InAs/GaAsSb quantum structure with type II band alignment. We find highly tunable exciton dipole moments and largely decoupled exciton recombination and ionization dynamics. We also predicted a bias regime where the hole wavefunction topology changes continuously from quantum dot-like to quantum ring-like as a function of the external bias. All these properties have great potential in advanced electro-optical applications and in the investigation of fundamental spin-orbit phenomena.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2012- 37804-C02-02Sin especificarSin especificarSin especificar
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ID de Registro: 40924
Identificador DC: http://oa.upm.es/40924/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40924
Identificador DOI: 10.1063/1.4934841
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/107/18/10.1063/1.4934841
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Sep 2016 16:49
Ultima Modificación: 01 Dic 2016 23:30
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