Effect of electrically inactive posphorus versus electrically active phosphorus oniron gettering

Peral Boiza, Ana; Dastgheib-Shirazi, Amir; Wagner, Hannes; Hahn, Giso y Cañizo Nadal, Carlos del (2015). Effect of electrically inactive posphorus versus electrically active phosphorus oniron gettering. "Energy Procedia", v. 77 ; pp. 311-315. ISSN 1876-6102. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2015.07.044.

Descripción

Título: Effect of electrically inactive posphorus versus electrically active phosphorus oniron gettering
Autor/es:
  • Peral Boiza, Ana
  • Dastgheib-Shirazi, Amir
  • Wagner, Hannes
  • Hahn, Giso
  • Cañizo Nadal, Carlos del
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Energy Procedia
Fecha: 2015
Volumen: 77
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (537kB) | Vista Previa

Resumen

In this study we investigate the efficacy of iron gettering as a function of electrically inactive phosphorus in the emitter in combination with low temperature annealing steps. To achieve different amounts of electrically inactive phosphorus in the emitter a highly doped PSG produced emitter with a large plateau depth of electrical active phosphorus is etched back stepwise by a wet-chemical procedure. Therewith we achieve a gradual reduction in electrically inactive phosphorus with small changes in electrically active phosphorus (?Rsh < 4 ?/sq). After this step, the wafers with different emitters have been annealed at 700 °C for 30 min and the content of Feiin the bulk has been measured using QSS-PC. The results show, (i) that for higher amounts of electrically inactive phosphorusa stronger iron gettering effect can be observed and (ii) that an additional annealing step leads to a significant change of Fei. This means, (i) that anelectricallyinactive phosphorus concentration dependence for iron gettering is observed and (ii) additional annealing steps, below the usual diffusion temperature of phosphorus, can be used to reduce interstitial iron in highly contaminated wafers further.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaTEC2011-28423-C03Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 41002
Identificador DC: http://oa.upm.es/41002/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:41002
Identificador DOI: 10.1016/j.egypro.2015.07.044
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1876610215008127
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 05 Sep 2016 18:12
Ultima Modificación: 05 Sep 2016 18:12
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM