The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.

Gargallo Caballero, Raquel; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Ulloa Herrero, José María; Hopkinson, M. y Muñoz Merino, Elias (2009). The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.. En: "7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces", 21/04/2008-24/04/2008, Marsella, Francia. ISBN ISSN 1369-8001.

Descripción

Título: The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.
Autor/es:
  • Gargallo Caballero, Raquel
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Ulloa Herrero, José María
  • Hopkinson, M.
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces
Fechas del Evento: 21/04/2008-24/04/2008
Lugar del Evento: Marsella, Francia
Título del Libro: Materials science in semiconductor processing. Proceedings of 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces
Fecha: 2009
ISBN: ISSN 1369-8001
Volumen: 12, Is
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Currently, dilute nitride III-N-As semiconductors, such as InGaAsN/GaAs quantum well material system, allow to develop very competitive lasers at long wavelength emission (1.3 µm). However, longer wavelengths, such as 1.55 µm, are very difficult to achieve without making worse the performance of the device. Alternatively, as it is well known, great efforts are being devoted to the study of dilute nitride III-N-As quantum dots (QDs) semiconductor [1]. Mainly, this is due to the attractive advantages that they show over other materials and structures: the strong reduction in the bandgap of the III-As semiconductor by adding even a few percent of nitrogen into them, and the interesting physical properties that the QDs offer to laser characteristics (e.g. low threshold current, etc)

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ID de Registro: 4102
Identificador DC: http://oa.upm.es/4102/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:4102
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Mar 2011 10:10
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:27
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