Strategies to unblock the n-GaAs surface when electrodepositing Bi from acidic solutions

Prados, Alicia; Ranchal Sánchez, Rocío y Pérez García, Lucas (2015). Strategies to unblock the n-GaAs surface when electrodepositing Bi from acidic solutions. "Electrochimica Acta", v. 174 ; pp. 264-267. ISSN 0013-4686. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2015.05.188.

Descripción

Título: Strategies to unblock the n-GaAs surface when electrodepositing Bi from acidic solutions
Autor/es:
  • Prados, Alicia
  • Ranchal Sánchez, Rocío
  • Pérez García, Lucas
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Electrochimica Acta
Fecha: Agosto 2015
Volumen: 174
Materias:
Palabras Clave Informales: Electrodeposition; thin films; semiconducting substrate; hydrogen adsorption; hydrogen desorption
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Bismuth ultra-thin films grown on n-GaAs electrodes via electrodeposition are porous due to a blockade of the electrode surface caused by adsorbed hydrogen when using acidic electrolytes. In this study, we discuss the existence of two sources of hydrogen adsorption and we propose different routes to unblock the n-GaAs surface in order to improve Bi films compactness. Firstly, we demonstrate that increasing the electrolyte temperature provides compact yet polycrystalline Bi films. Cyclic voltammetry scans indicate that this low crystal quality might be a result of the incorporation of Bi hydroxides within the Bi film as a result of the temperature increase. Secondly, we have illuminated the semiconductor surface to take advantage of photogenerated holes. These photocarriers oxidize the adsorbed hydrogen unblocking the surface, but also create pits at the substrate surface that degrade the Bi/GaAs interface and prevent an epitaxial growth. Finally, we show that performing a cyclic voltammetry scan before electrodeposition enables the growth of compact Bi ultra-thin films of high crystallinity on semiconductor substrates with a doping level low enough to perform transport measurements.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaMAT2011-28751-C02Ministerio de Economía y CompetitividadSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 41164
Identificador DC: http://oa.upm.es/41164/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:41164
Identificador DOI: 10.1016/j.electacta.2015.05.188
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0013468615013535
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jun 2016 17:13
Ultima Modificación: 01 Sep 2017 22:30
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