GaAs(Sb)(N)-caped InAs/GaAs Quantum Dots for enhanced solar cell efficiency

Utrilla Lomas, Antonio David; Ulloa Herrero, José María; Gacevic, Zarko; Reyes, D.F.; González, D.; Ben, T.; Fernández González, Alvaro de Guzmán y Hierro Cano, Adrián (2015). GaAs(Sb)(N)-caped InAs/GaAs Quantum Dots for enhanced solar cell efficiency. En: "18th European Molecular Beam Epitaxy (EUROMBE 2015)", 15/03/2015 - 18/03/2015, Canazei, Italy. pp..

Descripción

Título: GaAs(Sb)(N)-caped InAs/GaAs Quantum Dots for enhanced solar cell efficiency
Autor/es:
  • Utrilla Lomas, Antonio David
  • Ulloa Herrero, José María
  • Gacevic, Zarko
  • Reyes, D.F.
  • González, D.
  • Ben, T.
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 18th European Molecular Beam Epitaxy (EUROMBE 2015)
Fechas del Evento: 15/03/2015 - 18/03/2015
Lugar del Evento: Canazei, Italy
Título del Libro: 18th European Molecular Beam Epitaxy (EUROMBE 2015)
Fecha: 2015
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Recently, quantum dots (QDs) have been drawing an increasing interest as an alternative approach to enhance solar cell efficiency. Multiple-exciton generation in zero-dimensional structures, the possibility to implement intermediate-band solar cells , or the introduction of sub-band-gap states are some of the benefits from using QDs. Indeed, the use of InAs QDs has been demonstrated to extend the photoresponse of bulk GaAs and higher short- circuit currents have already been obtained. The use of a modified capping layer (CL), particularly GaAs(Sb)(N), is expected to further extend the photoresponse from InAs QDs, allowing besides that an independent control of the hole and electron confinement and therefore of their respective escape times.

Más información

ID de Registro: 41987
Identificador DC: http://oa.upm.es/41987/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:41987
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Sep 2016 10:19
Ultima Modificación: 03 Sep 2016 10:19
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