On the use ofSb to improve the performance of GaInP subcells of multijunction solar cells

Barrutia Poncela, Laura; Barrigón Montañés, Enrique; López Conesa, L.; Rebled, J.; Estradé, S.; Peiró, F.; Rey-Stolle Prado, Ignacio y Algora del Valle, Carlos (2015). On the use ofSb to improve the performance of GaInP subcells of multijunction solar cells. En: "42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2015)", 14/06/2015 - 19/06/2015, New Orleans, LA, EE.UU. pp. 1-4. https://doi.org/10.1109/PVSC.2015.7356354.

Descripción

Título: On the use ofSb to improve the performance of GaInP subcells of multijunction solar cells
Autor/es:
  • Barrutia Poncela, Laura
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • López Conesa, L.
  • Rebled, J.
  • Estradé, S.
  • Peiró, F.
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Algora del Valle, Carlos
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2015)
Fechas del Evento: 14/06/2015 - 19/06/2015
Lugar del Evento: New Orleans, LA, EE.UU
Título del Libro: 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 2015)
Fecha: 2015
Materias:
Palabras Clave Informales: GaInP, Sb, surfactant, External Quantum Efficiency
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaInP is a material commonly employed for the top subcells of different multijunction solar cells architectures. In this study, the performance of GaInP top cells has been improved by increasing the energy band gap with the use of Sb as a surfactant during the MOVPE growth of the structures. The optimization of the appropriate Sb molar flow was done by Reflectance Anisotropy Spectroscopy. Different characterization techniques have been employed to assess the effect of Sb on the morphology, microstructure and optoelectronic properties of the resulting GaInP grown with different Sb/P ratios. Finally, the performance of several GaInP subcells with different order parameters has been assessed.

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Más información

ID de Registro: 42021
Identificador DC: http://oa.upm.es/42021/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:42021
Identificador DOI: 10.1109/PVSC.2015.7356354
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2016 17:05
Ultima Modificación: 27 Jul 2016 17:05
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